中文字幕在线视频第一页,黄色毛片在线看,日本爱爱网站,亚洲系列中文字幕一区二区

您當前的位置是:  首頁 > 技術 > 技術動態(tài) >
 首頁 > 技術 > 技術動態(tài) > 力拼五年內超越臺積電 三星宣布將發(fā)布二代3納米制程

力拼五年內超越臺積電 三星宣布將發(fā)布二代3納米制程

2023-05-10 17:08:16   作者:   來源:CTI論壇原創(chuàng)   評論:0  點擊:


  韓國三星在2023年6月底正式宣布量產了第一代3nm GAA制程技術,這也是三星首次采用全新的GAA架構晶體管技術,打破了FinFET原有的性能限制,藉由降低工作電壓水平來提高能耗比,同時還透過增加驅動電流來提升芯片性能。 如今,根據(jù)外媒報導,三星將進一步介紹的第二代3nm制程技術,其效能將較第一代3nm制程技術有所優(yōu)化。

  報道指出,2023年VLSI技術和電路研討會將于2023年6月11至16日在日本京都舉行。 而根據(jù)官方預告,三星將介紹名為SF3的第二代3nm制程技術,該制程技術預計將使用第二代 MBCFET架構,在第一代3nm GAA(SF3E)基礎上做進一步的優(yōu)化。

  根據(jù)三星表示,與4nm低功耗制程技術(SF4)相較,第二代3nm制程技術在相同功率和晶體管數(shù)量下,運算效能提高了22%,在相同頻率和復雜性下的功耗降低了34%,娉驗面積縮小了21%。 不過,三星并沒有將其 SF3 與 SF3E 進行比較,也沒有關于 SRAM 和模擬電路縮放方面的數(shù)據(jù)。

  事實上,與傳統(tǒng) FinFET 技術相較,GAA 技術的主要優(yōu)點之一是泄漏電流減少。 另外,通道厚度可以調整,以提高性能或降低功耗。 三星表示,第二代3nm制程技術提供了更大的設計靈活性,使用不同寬度的MCFET。 而第二代3nm制程技術,三星方面表示,將有機會在2024年與臺積電的先進制程技術上展開競爭。

  先前,三星集團旗下設備解決方案部門總裁慶桂顯在媒體訪問時坦承,其半導體制程上落后于臺積電。 不過,他認為三星更早地采用GAA晶體管技術是一項優(yōu)勢,預計5年內可以達成超越臺積電的目標。

  報導進一步指出,三星目前也還在改進其4nm制程技術,目標是透過SF4P(4LPP+)縮小與競爭對手之間的差距,預計會在2023年下半年量產。 此外,三星還計劃推出用于高性能CPU和GPU的SF4X(4HPC)。 不過,在幾乎同一時間,臺積電也會帶來名為N3P的增強型3nm制程技術。 因此,屆時的競爭究竟誰能勝出,目前還猶未可知。

【免責聲明】本文僅代表作者本人觀點,與CTI論壇無關。CTI論壇對文中陳述、觀點判斷保持中立,不對所包含內容的準確性、可靠性或完整性提供任何明示或暗示的保證。請讀者僅作參考,并請自行承擔全部責任。

相關閱讀:

專題

CTI論壇會員企業(yè)

敖汉旗| 望都县| 昌图县| 克山县| 定西市| 友谊县| 民勤县| 临沭县| 临潭县| 明溪县| 和田市| 大新县| 蒙阴县| 松溪县| 临安市| 贵南县| 宜城市| 永寿县| 阜城县| 沭阳县| 佛冈县| 同心县| 中西区| 巧家县| 惠安县| 克什克腾旗| 通河县| 金乡县| 大方县| 绵竹市| 溧水县| 阿图什市| 抚顺市| 云林县| 彰化市| 益阳市| 株洲县| 奉新县| 南宁市| 砚山县| 历史|