據韓媒報道，知情人士稱，三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發(fā)團隊，以量產4F2DRAM。公司目標是將4F2DRAM存儲單元應用于10納米以下的DRAM制程，以目前的技術預計會面臨線寬縮減的極限。

　　據報道，如果三星4F2DRAM存儲單元結構研究成功，在不改變節(jié)點的情況下，與現有的6F2DRAM存儲單元結構相比，芯片DIE面積可以減少30%左右，將面臨線寬減小的極限。4F2結構是大約10年前DRAM產業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術，據說工藝難點頗多。資料顯示，與8F2相比，6F2可以減少25-30%的面積。

　　近日，多位半導體和證券業(yè)人士透露，三星電子第二季度的DRAM芯片出貨量預估環(huán)比增加約15%-20%，扭轉第一季度環(huán)比下滑10%左右的頹勢。SK海力士第二季度DRAM芯片環(huán)比預料增加30%-50%，高于市場共識的20%。機構表示，隨著三大廠商均已開始減產，存儲芯片的需求將在2023年三季度回升，擺脫供應過剩的情況。預計2023年全年，DRAM產量年增長率將只有5%。