據(jù)報道，日本早稻田大學乘松航教授等人的研究團隊，開發(fā)出了一種通過加熱使半導體晶圓基板表面平整的方法，比傳統(tǒng)研磨方法更便捷、性能更高，有利于改進半導體制造工序。

　　研究團隊利用碳化硅晶圓基板進行實驗，由于晶圓是通過將整體晶塊切成薄片來制造的，因此截面上容易凹凸不平，不能直接使用。傳統(tǒng)的方法是結合多種方式進行拋光研磨，但這會導致內部容易出現(xiàn)損傷、表面形成落差。

　　團隊將經過機械研磨后的碳化硅基板在氬氣和氫氣保護下，加熱10分鐘，達到1600攝氏度，然后在1400攝氏度下保持一段時間。這時，表面達到了原子層面的平整。由于這種操作方式簡單，只需加熱即可，因此相比傳統(tǒng)的多次拋光有利于縮短制造工時，并降低成本。

　　除了加工功率半導體材料碳化硅，這項技術還可以用于加工晶格構造相似的其它材料，如氮化鎵、砷化鎵晶圓。