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2013華為存儲技術(shù)峰會深圳成功舉行

2013-10-22 15:42:42   作者:   來源:CTI論壇   評論:0  點(diǎn)擊:


  10月14日至15日,“2013華為存儲技術(shù)峰會”在深圳成功舉辦。本次峰會邀請存儲業(yè)界各領(lǐng)域?qū)<夜灿?jì)23位,針對存儲新介質(zhì)、控制器以及算法、解決方案、存儲系統(tǒng)架構(gòu)等技術(shù)領(lǐng)域舉行了23場主題演講,兩百余位技術(shù)愛好者以及專家展開深入的交流和研討。

  CTI論壇(ctiforum)10月22日消息(記者 郭佳):全球領(lǐng)先的信息與通信解決方案供應(yīng)商華為,10月14日至15日在深圳華為國際會議中心召開“2013華為存儲技術(shù)峰會”。本次峰會由華為中央軟件院、中央硬件工程院、IT產(chǎn)品線聯(lián)合舉辦,邀請存儲業(yè)界各領(lǐng)域?qū)<夜灿?jì)23位,針對存儲新介質(zhì)、控制器以及算法、解決方案、存儲系統(tǒng)架構(gòu)等技術(shù)領(lǐng)域舉辦了23場主題演講,兩百余位技術(shù)愛好者以及專家在本次峰會上展開了深入的交流和研討。

2013華為存儲技術(shù)峰會深圳成功舉行

2013華為存儲技術(shù)峰會在深舉行

  來自騰訊、Micron、CrossBar、美國匹茲堡大學(xué)、華中科技大學(xué)、中科院等國內(nèi)外16家企業(yè)、研究所及高校的專家參加了“2013華為存儲技術(shù)峰會”。本次大會聚焦于同業(yè)界專家、學(xué)者、技術(shù)愛好者討論存儲在SCM(Storage Class Memory)新介質(zhì)方面的最新發(fā)展、存儲控制器和存儲系統(tǒng)未來將產(chǎn)生的巨大變革以及存儲領(lǐng)域所面臨的新機(jī)遇。同時向外界分享華為存儲在新技術(shù)領(lǐng)域特別是在軟件、算法及解決方案領(lǐng)域所積累的經(jīng)驗(yàn)和前瞻性創(chuàng)新技術(shù)。

  華為存儲領(lǐng)域首席架構(gòu)師查偉作為開場嘉賓回顧了近幾十年數(shù)據(jù)中心存儲的演進(jìn),提出未來存儲的機(jī)會點(diǎn)在于“主機(jī)虛擬化、介質(zhì)Flash化、內(nèi)容大數(shù)據(jù)化”,存儲系統(tǒng)的融合與智能是大勢所趨,并對華為存儲OceanStor系列產(chǎn)品的特性及優(yōu)勢進(jìn)行了簡要介紹。

  新加坡科技研究局(A*STAR)下屬DSI(Data Storage Institute)研究所執(zhí)行理事Pantelis Alexopoulos博士提出:在當(dāng)前存儲技術(shù)發(fā)展落后于處理器、CPU及網(wǎng)絡(luò)發(fā)展的現(xiàn)狀下,混合磁盤驅(qū)動與下一代非易失性存儲如STT-MRAM,PCRAM為存儲技術(shù)發(fā)展帶來新的機(jī)遇,這些新技術(shù)與SSD/HDD的結(jié)合將會帶來TCO的巨大進(jìn)步。

  復(fù)旦大學(xué)林殷茵教授在本次峰會上發(fā)表了ReRAM的主題演講,她認(rèn)為當(dāng)前炙手可熱的ReRAM是唯一可替代Flash的新型介質(zhì),將給存儲設(shè)備帶來革命性的變化。

  “2013華為存儲技術(shù)峰會”為存儲業(yè)界技術(shù)愛好者搭建了一個廣闊的高端交流平臺,展望未來,華為存儲希望以更為開放、合作的精神攜手存儲業(yè)內(nèi)各領(lǐng)域?qū)<夜餐窒砗脱杏懶录夹g(shù),迎接未來新機(jī)遇,新挑戰(zhàn)。

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