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三星發(fā)豪語:5年內(nèi)趕上臺積電 目前3納米落后1年

2023-05-05 11:48:21   作者:   來源:CTI論壇原創(chuàng)   評論:0  點擊:


  三星電子高層坦承,目前晶圓代工事業(yè)的技術(shù)確實落后臺積電,目標(biāo)是在五年內(nèi)迎頭趕上。

  Sammobile引述《韓國經(jīng)濟(jì)日報》報道,三星設(shè)備解決方案部門主管Kye Hyun Kyung 4日稍早在三星半導(dǎo)體舉辦的課程中表示,三星的晶圓代工技術(shù)「目前落后臺積電」,旗下的4納米制程大約落后臺積電兩年 ,3納米制程則約落后一年。

  不過,他強(qiáng)調(diào),三星如今有優(yōu)勢,能在五年內(nèi)超越臺積電。

  三星計劃從3納米開始運用環(huán)繞式柵極(GAA)制程,是該公司相信能在五年內(nèi)超越臺積電的關(guān)鍵。 相較之下,臺積電在2納米之前都不會采用GAA,三星相信公司能趁此機(jī)會趕上臺積電。

  與臺積電目前采用的制程相較,GAA可讓三星芯片的體積更小(少45%)、耗電量更低(少50%)。 Kye Hyun Kyung說,「客戶對三星3納米GAA制程的反應(yīng)不錯!

  有趣的是,Kye Hyun Kyung還說,三星相信內(nèi)存對AI服務(wù)器的重要性將超越英偉達(dá)繪圖處理器(GPU)。 他說,三星將「確保以內(nèi)存為中心的超級計算機(jī)在2028年底前問世。」

  三星稱4納米良率逼近5納米

  韓國媒體Pulse 5月3日報道,三星最近在社群媒體發(fā)文指出,4納米制程良率快速改善、如今已接近5奈米的水平。 三星表示,「次世代4納米制程將提供更好的良率。」 業(yè)界人士說,三星過去很少向大眾揭露芯片制程的良率細(xì)節(jié)。

  三星今(2023)年的良率、產(chǎn)能出現(xiàn)明顯改善。 報導(dǎo)指出,業(yè)界人士透露,三星4納米制程良率如今已可媲美臺積電,也因而吸引客戶回流。 據(jù)傳,超威(AMD)、三星已敲定4納米合作協(xié)議,三星為Google Pixel 8智能機(jī)設(shè)計的Tensor 3處理器,也會采用自家的第三代4納米制程。

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